RGW80TK65DGVC11, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) 650v 40a to-3pfm field stp trnch igbt

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Код товара: 10610592
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка RGW80TK65DGVC11 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание RGW80TK65DGVC11

Вид монтажаThrough Hole
Упаковка / блокTO-3PFM
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
УпаковкаTube
Pd - рассеивание мощности81 W
ECCNEAR99
ТехнологияSi
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C39 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.39 A
Ток утечки затвор-эмиттер200 nA