CG2H80030D-GP4, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
12 312,26 руб.
Нет в наличии
Описание CG2H80030D-GP4
| Максимальная рабочая температура | + 225 C |
|---|---|
| Упаковка | Gel Pack |
| Вес изделия | 5.365 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | Die |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 30 W |
| Рабочая частота | 8 GHz |
| Технология | GaN |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 410 mOhms |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Тип транзистора | HEMT |
| Усиление | 16.5 dB |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 10 V, 2 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка CG2H80030D-GP4 , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 313 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара