RN2105,LF(CT, биполярные транзисторы - с предварительно заданным током смещения pnp brt, q1bsr=2.2kohm, q1ber=47kohm, vceo=-50v, ic=-0.1a, insot-416 (ssm) package
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
RN2105,LF(CT
Описание RN2105,LF(CT
Серия | RN2105 |
---|---|
Вес изделия | 2.400 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Упаковка / блок | SSM-3 |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара