STF13N60DM2, моп-транзистор n-channel 600 v, 0.310 ohm typ., 11 a mdmesh dm2 power моп-транзистор in a to-220fp package
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-220FP package
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STF13N60DM2
Описание STF13N60DM2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STF13N60DM2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 310 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 10.6 ns |
| Время нарастания | 4.8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 42.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.3 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара