RGCL80TS60DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Артикул:
RGCL80TS60DGC11
Производитель:
Описание RGCL80TS60DGC11
ECCN | EAR99 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 148 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 65 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара