MMRF5014H-500MHZ, RF MOSFET Transistors MMRF5014H-500M
Код товара: 10617509
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
154 733,28 руб.
Нет в наличии
Описание MMRF5014H-500MHZ
| Вес изделия | 500 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Упаковка / блок | NI-360H-2SB |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Рабочая частота | 1 MHz to 2700 MHz |
| Выходная мощность | 125 W |
| Pd - рассеивание мощности | 232 W |
| Технология | GaN SiC |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, 0 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Усиление | 18 dB |
Способы доставки в Калининград
Доставка MMRF5014H-500MHZ , RF MOSFET Transistors MMRF5014H-500M
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 646 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 372 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2277 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1720 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 918 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара