MMRF5014H-500MHZ, rf mosfet transistors mmrf5014h-500m
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание MMRF5014H-500MHZ
| Вес изделия | 500 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Упаковка / блок | NI-360H-2SB |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Рабочая частота | 1 MHz to 2700 MHz |
| Выходная мощность | 125 W |
| Pd - рассеивание мощности | 232 W |
| Технология | GaN SiC |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, 0 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Усиление | 18 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара