2DA1213YQ-13, биполярные транзисторы - bjt pwr mid perf transistor sot89 t&r 2.5k
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
2DA1213YQ-13
Описание 2DA1213YQ-13
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 52 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 at - 500 mA, - 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 at - 500 mA, - 2 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара