SIHP11N80AE-GE3, МОП-транзистор N-CHANNEL 800V TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SIHP11N80AE-GE3
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
218,45 руб.
Нет в наличии
Описание SIHP11N80AE-GE3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | E |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 391 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHP11N80AE-GE3 , МОП-транзистор N-CHANNEL 800V TO-220AB
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2426 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара