APT7F100B, МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT7F100B
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 290 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Время спада | 22 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.76 Ohms |
| Время нарастания | 26 ns |
| Типичное время задержки выключения | 77 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.5 S |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара