RGT30NS65DGC9, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) igbt high volt and current ap

Name: RGT30NS65DGC9, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Brand: ROHM
SKU: 10621976
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Код товара: 10621976

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка RGT30NS65DGC9 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание RGT30NS65DGC9

ECCN	EAR99
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	40 C
Упаковка / блок	TO-262-3
Вид монтажа	Through Hole
Упаковка	Tube
Технология	Si
Конфигурация	Single
Pd - рассеивание мощности	133 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	30 A
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← 115857-HMC633LC4 12103C225KAT4A →