RGT30NS65DGC9, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Цена от:
267,71 руб.
Нет в наличии
Описание RGT30NS65DGC9
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 133 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка RGT30NS65DGC9 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара