IRF510PBF-BE3, моп-транзистор 100v n-ch hexfet d2-pak
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IRF510PBF-BE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Серия | IRF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Время спада | 9.4 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.9 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара