RGTH40TK65DGC11, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) igbt high volt and current ap

Name: RGTH40TK65DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Brand: ROHM
SKU: 10622591
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Код товара: 10622591

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка RGTH40TK65DGC11 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание RGTH40TK65DGC11

ECCN	EAR99
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	40 C
Упаковка / блок	TO-3PFM
Вид монтажа	Through Hole
Упаковка	Tube
Технология	Si
Конфигурация	Single
Pd - рассеивание мощности	56 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	23 A
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← CTX33-4P-R RN55C10R5FB14 →