SIHP120N60E-GE3, МОП-транзистор 650V Vds;30V Vgs TO-220AB
Цена от:
628,13 руб.
Нет в наличии
Описание SIHP120N60E-GE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Серия | E |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 179 W |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 65 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 120 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHP120N60E-GE3 , МОП-транзистор 650V Vds;30V Vgs TO-220AB
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 659 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2464 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 848 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 449 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара