IXFX300N20X3, МОП-транзистор N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Наименование:
IXFX300N20X3
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
3 664,04 ₽
Нет в наличии
Описание IXFX300N20X3
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | X3-Class |
| Упаковка / блок | PLUS-247-3 |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 mW |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 43 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 375 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 184 ns |
| Типичное время задержки при включении | 44 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFX300N20X3 , МОП-транзистор N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 290 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара