SIHG11N80AE-GE3, МОП-транзистор 800V N-CH МОП-транзистор E-SERIES PWR
Цена от:
188,91 руб.
Нет в наличии
Описание SIHG11N80AE-GE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHG11N80AE-GE3 , МОП-транзистор 800V N-CH МОП-транзистор E-SERIES PWR
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2462 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара