NCD57000DWR2G, драйверы для управления затвором isolated high current and high efficiency igbt gate driver with internal galvanic isolation.
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Драйверы для управления затвором Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation.
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NCD57000DWR2G
Описание NCD57000DWR2G
| Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
|---|---|
| Тип | Inverting, Non-Inverting |
| Вес изделия | 534.341 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Выходное напряжение | 24 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходной ток | 6 A |
| Рабочий ток источника питания | 4.8 mA |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Напряжение питания - макс. | 5 V |
| Напряжение питания - мин. | 3.3 V |
| Количество выходов | 2 Output |
| Упаковка / блок | SOIC-16 |
| Количество драйверов | 1 Driver |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Максимальное время задержки выключения | 90 ns |
| Максимальное время задержки включения | 90 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 1400 mW |
| Задержка распространения - макс. | 90 ns |
| Конфигурация | Inverting, Non-Inverting |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара