2SA1162-GR.LF, биполярные транзисторы - bjt pnp transistor -50v s-mini -0.15a -0.3v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SA1162-GR.LF
Описание 2SA1162-GR.LF
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | 2SA1162 |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара