LPT 80A, фототранзисторы phototransistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание LPT 80A
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Высота | 5.84 mm |
| Длина | 4.57 mm |
| Упаковка / блок | Side Looker |
| Продукт | Phototransistors |
| Тип | IR Chip |
| Ширина | 2.54 mm |
| Вес изделия | 200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Время спада | 10 us |
| Время нарастания | 10 us |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Длина волны | 880 nm |
| Пиковая длина волны | 880 nm |
| Угол половинной интенсивности | 35 deg |
| Темновой ток | 50 nA |
| Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 50 mA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Слабый ток | 250 uA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара