HN1C03FU-B(TE85L,F, биполярные транзисторы - bjt dual trans npn x 2 20v, 0.3a, us6
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN1C03FU-B(TE85L,F
Описание HN1C03FU-B(TE85L,F
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | US-6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Серия | HN1C03 |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 300 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 42 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара