RN2712JE(TE85L,F), биполярные транзисторы - с предварительно заданным током смещения esv pln (lf) transistor pd=200mw f=1mhz
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
RN2712JE(TE85L,F)
Описание RN2712JE(TE85L,F)
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 3 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | ESV-5 |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Максимальная рабочая частота | 200 MHz |
| Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара