SISA01DN-T1-GE3, моп-транзистор -30v vds 16v vgs powerpak 1212-8
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SISA01DN-T1-GE3
| Серия | SIS |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 124.890 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 6 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 16 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара