IXTT12N150, МОП-транзистор 1500V High Voltage Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 582,70 руб.
Нет в наличии
Описание IXTT12N150
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Вес изделия | 6.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | High Voltage Power MOSFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXTT12N150 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 5.1 mm |
| Длина | 14 mm |
| Ширина | 16.05 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 106 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTT12N150 , МОП-транзистор 1500V High Voltage Power МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара