RGT8TM65DGC9, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
Артикул:
RGT8TM65DGC9
Производитель:
Описание RGT8TM65DGC9
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 16 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 5 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара