IXFK180N25T, МОП-транзистор 180A 250V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 747,44 руб.
Нет в наличии
Описание IXFK180N25T
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXFK180N25 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 26.16 mm |
| Длина | 19.96 mm |
| Технология | Si |
| Тип | GigaMOS Power MOSFET |
| Ширина | 5.13 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 10 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 345 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 1.39 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 33 ns |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFK180N25T , МОП-транзистор 180A 250V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара