FS50R12W2T4_B11, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FS50R12W2T4_B11
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
7 445,73 ₽
Нет в наличии
Описание FS50R12W2T4_B11
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 39 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 335 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 83 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FS50R12W2T4_B11 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 290 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара