SIHB35N60EF-GE3, МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Цена от:
555,05 руб.
Нет в наличии
Описание SIHB35N60EF-GE3
| Серия | EF |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 61 ns |
| Время нарастания | 85 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 97 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 134 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel EF-Series Power MOSFET |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Типичное время задержки выключения | 96 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHB35N60EF-GE3 , МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
