SBCP53T1G, биполярные транзисторы - bjt ss gp xstr pnp 80v
Описание SBCP53T1G
Серия | BCP53 |
---|---|
Вес изделия | 110 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Конфигурация | Single |
Квалификация | AEC-Q101 |
Технология | Si |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара