ZXMC3F31DN8TA, моп-транзистор 30v s08 dual моп-транзистор 20v vbr 4.5v gate
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 30V S08 Dual МОП-транзистор 20V VBR 4.5V Gate
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
ZXMC3F31DN8TA
Описание ZXMC3F31DN8TA
| Количество каналов | 2 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | ZXMC3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Вес изделия | 74 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.3 A, 5.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms, 80 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 3 V |
| Qg - заряд затвора | 12.9 nC, 12.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Время спада | 8 ns, 21 ns |
| Время нарастания | 3.3 ns, 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns, 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.9 ns, 1.9 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16.5 S, 14 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара