SQ4153EY-T1_GE3, моп-транзистор p ch -12vds 8vgs aec-q101 qualified
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SQ4153EY-T1_GE3
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | SQ |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 7.1 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 74 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| Qg - заряд затвора | 151 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 54 S |
| Время спада | 283 ns |
| Время нарастания | 168 ns |
| Типичное время задержки выключения | 310 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара