2N2219 PBFREE, биполярные транзисторы - bjt 60vcbo 30vceo 5.0vebo 800ma 800mw
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
Производитель:
Diotec Semiconductor
Артикул:
2N2219 PBFREE
Описание 2N2219 PBFREE
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Серия | 2N22 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Вес изделия | 3.257 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 150 mA, 10 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 150 mA, 10 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара