APT200GT60JR, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
6 253,62 руб.
Нет в наличии
Описание APT200GT60JR
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Технология | SiC |
| Вес изделия | 29.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 195 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 300 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APT200GT60JR , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 229 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара