SIZ240DT-T1-GE3, моп-транзистор dual n-channel symm.powerpair 3 x 3
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SIZ240DT-T1-GE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAIR-3x3S-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Время спада | 5 ns, 10 ns |
| Время нарастания | 6 ns, 55 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 48 A, 47 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms, 8.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Qg - заряд затвора | 15.2 nC, 14.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns, 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns, 25 ns |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 39 S, 55 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара