PMBT3904QAZ, биполярные транзисторы - bjt trans bipolar
Описание PMBT3904QAZ
Технология | Si |
---|---|
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Вес изделия | 1.134 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | DFN1010D-3 |
Конфигурация | Single |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара