PMGD280UN.115, МОП-транзистор N-CH TRENCH DL 20V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PMGD280UN.115
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSSOP-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 870 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 340 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Qg - заряд затвора | 0.89 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара