TTA0002(Q), биполярные транзисторы - bjt bjt pnp -18a 180w 80 hfe -2v trans
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TTA0002(Q)
Описание TTA0002(Q)
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | 2-21F1A-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | TTA0002 |
| Вес изделия | 9.750 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 18 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 18 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара