APT150GN60B2G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3 500,52 руб.
Нет в наличии
Описание APT150GN60B2G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 536 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 220 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APT150GN60B2G , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара