DP0150BLP4-7B, биполярные транзисторы - bjt general purpose tran x1-dfn1006-3,10k
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DP0150BLP4-7B
Описание DP0150BLP4-7B
| Серия | DP0150 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | DFN1006H4-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 450 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at - 2 mA, - 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара