2N4150, Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 694,06 руб.
Нет в наличии
Описание 2N4150
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 4.675 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 1 A, 5 VDC |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 1 A, 5 VDC |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2N4150 , Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара