IXFN110N85X, MOSFET 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
6 122,73 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN110N85X
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | HiPerFET |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.17 kW |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 850 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 425 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 144 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 43 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFN110N85X , MOSFET 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара