2N3791, биполярные транзисторы - bjt power bjt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2N3791
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-66-2 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Упаковка | Tray |
| Технология | Si |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 85.7 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 1 A, 2 VDC |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 at 1 A, 2 VDC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара