TK7P60W5.RVQ, моп-транзистор dtmosiv 600v 600mohm dpkw/hgh speed diode
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK7P60W5.RVQ
Описание TK7P60W5.RVQ
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | TK7P60W5 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 5.5 mm |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 40 ns |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 60 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара