VT6T1T2R, биполярные транзисторы - bjt pnp+pnp -20vceo-0.2a vmt6
Описание VT6T1T2R
ECCN | EAR99 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | VT6T1 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Конфигурация | Dual |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.12 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара