BSM300D12P2E001, Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module
Артикул:
BSM300D12P2E001
Производитель:
Описание BSM300D12P2E001
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | BSMx |
| Вес изделия | 444.780 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Упаковка / блок | Module |
| Длина | 122 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Высота | 17 mm |
| Ширина | 62 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1875 W |
| Технология | SiC |
| Время спада | 65 ns |
| Время нарастания | 70 ns |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Типичное время задержки выключения | 250 ns |
| Типичное время задержки при включении | 80 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара