BSM300D12P2E001, Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module

Код товара: 10691999

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
BSM300D12P2E001
Производитель:

Описание BSM300D12P2E001

ПродуктPower MOSFET Modules
ТипSiC Power MOSFET
УпаковкаBulk
СерияBSMx
Вес изделия444.780 g
ECCNEAR99
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаScrew Mount
Упаковка / блокModule
Длина122 mm
Количество каналов1 Channel
Высота17 mm
Ширина62 mm
Pd - рассеивание мощности1875 W
ТехнологияSiC
Время спада65 ns
Время нарастания70 ns
КонфигурацияHalf-Bridge
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
Id - непрерывный ток утечки300 A
Vgs - напряжение затвор-исток6 V, 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.6 V
Типичное время задержки выключения250 ns
Типичное время задержки при включении80 ns

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка BSM300D12P2E001 , Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2180
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.