IXFT16N120P, МОП-транзистор 16 Amps 1200V 1 Rds
Код товара: 10693148
Цена от:
3 131,18 руб.
Нет в наличии
Описание IXFT16N120P
Вес изделия | 4.500 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Серия | IXFT16N120 |
Упаковка | Tube |
Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | TO-268-3 |
Высота | 5.1 mm |
Длина | 16.05 mm |
Ширина | 14 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 660 W |
Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 950 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
Qg - заряд затвора | 120 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 35 ns |
Время нарастания | 28 ns |
Типичное время задержки выключения | 66 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFT16N120P , МОП-транзистор 16 Amps 1200V 1 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара