DSS8110Y-7, биполярные транзисторы - bjt bipolar trans npn
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS NPN
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DSS8110Y-7
Описание DSS8110Y-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DSS8110 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара