AFGB40T65SQDN, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
510,55 руб.
Нет в наличии
Описание AFGB40T65SQDN
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 238 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка AFGB40T65SQDN , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара