AFGB40T65SQDN, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) 650v/40a fs4 igbt

Name: AFGB40T65SQDN, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT
Brand: ON Semiconductor
SKU: 10697582
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT

Код товара: 10697582

Дата обновления: 06.01.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка AFGB40T65SQDN , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание AFGB40T65SQDN

Упаковка / блок	TO-263-3
Минимальная рабочая температура	55 C
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Вид монтажа	SMD/SMT
Конфигурация	Single
Pd - рассеивание мощности	238 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	40 A
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: 2SDnjcaHRPw

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← ATSAMD21G17L-MF TPSC475M035R0600 →