DXT5551-13, биполярные транзисторы - bjt 1w 160v
Описание DXT5551-13
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | DXT5551 |
ECCN | EAR99 |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 4.6 mm |
Ширина | 2.6 mm |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вес изделия | 52 mg |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара