APT200GN60J, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT200GN60J
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Длина | 38.2 mm |
| Ширина | 25.4 mm |
| Высота | 9.6 mm |
| Коммерческое обозначение | ISOTOP |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
| Pd - рассеивание мощности | 682 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 283 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара