BFU580GX, рч биполярные транзисторы npn wideband silicon rf transistor
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BFU580GX
Описание BFU580GX
Вес изделия | 97.726 mg |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Тип | Wideband RF Transistor |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Рабочая частота | 900 MHz |
Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Технология | Si |
Полярность транзистора | NPN |
Тип транзистора | Bipolar Wideband |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 24 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 11 GHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 130 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Непрерывный коллекторный ток | 30 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара